Транзисторы МП в Москве

МП25 Транзисторы МП25 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывод...

Транзисторы МП16А германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Основные технические характеристики...

Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к в...

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной о...

N-channel Power MOSFET, Vds=60V, Id=55A, Pd=115W, Rds(on)=16,5 mOhm

Комплект из 10-и SS8050 Биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 25 В, максимальный ток коллектора Ic max 1,5 А, миним...

Транзисторы МП14 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применени...

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 300 мА Напряжение: пробивное коллектор-база: 50 В Мощность: рассеиваемая: 150 мВт Коэффицие...

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая: 200 мВт Частота: коэффициента передачи тока предельная: не менее 1 МГц Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 25...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность к...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питани...

Тип: транзистор

Транзисторы МП14Б - это универсальные германиевые радиодетали структуры p-n-p, предназначенные для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Они используютс...

Транзисторы МП16А германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Основные технические характеристики...

Тип: MOP транзистор полевой 1 N-канал серии IRFL Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Назначение: управление силовыми цепями Напряжение: пробоя сток-исток (Vds) - 500 В Напряжение: затвор-исток (Vgs...

Field Stop IGBT, Vces=600V, Vce(sat)=2,3V, Ic=40A, Pd=290W FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входны...

Характеристики: Тип выхода: фототранзисторНапряжение изоляции: 5 кВМаксимальный прямой ток: 60 мАМаксимальное выходное напряжение: 300 ВВремя включения/выключения: 50…15 мкс тип: транзистор

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb):...

Транзисторы МП10Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные. Основные технические характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощно...

В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки новых транзисторов D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема D209L применяется в разли...

В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические парамет...

BSS138 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 880 мОм (при...

В комплекте 5 штук новых транзисторов C1815 GR331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SC3198 схема KSC1815 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора C1815 Структура - n-p-n Напр...

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 300 мА Напряжение: пробивное коллектор-база: 50 В Мощность: рассеиваемая: 150 мВт Коэффицие...

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage,...

Транзисторы МП106 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напр...

P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, N-channel: Id=8,4A, Rds(on)=20 mOhm, P-channel: Id=6,8A, Rds(on)=30 mOhm, Pd=2,1W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Транзисторы МП20Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Основные технические характеристики транзистора МП20Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рас...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n На...

Транзисторы МП14Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применен...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC807-25 5B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW68 аналог BCX17 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC807-25 Структур...

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальн...

Транзисторы МП20 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Основные технические характеристики транзистора МП20: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассе...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75...

N Channel, Id=110A, Vds=55V, Rds(on)=0.008ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=150W, корпусTO-247AC-3, t-175°C Полный размер И снова печка (( Вечером катался, печка исправно работала, утром прогрел машину-вкл...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжен...

N Channel, Id=180A, Vds=100V, Rds(on)=0.0045ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=370W, корпусTO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40...

N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор

Тип: Электронные компоненты

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальн...

NPN 45V 100MA hFE.=420/800 general-purpose transistors

TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряже...

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Uc...

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=30V, Id=4,1A, Pd=1,4W, Rds(on)=52 mOhm

Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 20 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В 2...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC327-25 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC488 схема BC490 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС327 Характеристики транзистора BC327-25 Структура - p-n-p Нап...

IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимал...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжени...

FGA60N65SMD, IGBT, 650V, 120A, TO-3PN Корпус TO3P Наименование: FGA60N65SMD Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 Предельно-допустимое н...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Нап...

В комплекте 2 штуки новых деталей LR2905Z транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог HUF76429D3S схема PHD44N06LT характеристики цоколевка datasheet микросхема LR2905 Технические параметры Структура n-кана...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структ...

Тип: Электронные компоненты

П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специальн...

В комплекте 5 штук новых транзисторов C3198 GR 331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог KSC945C схема KSC1815 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2SC 3198 Характеристики транзистора 2-SC3198 Структура...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p...

2N7002LT1 SOT23 Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 0.115 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи мак...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжен...

Транзистор 60N60 30612047 (арт. 61/50/266) тип: транзистор

PNP darlington transistor 50V, 4A, 10W, 150MHz комплементарная пара 2SD1348

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Н...

Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до...

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной о...

N Channel, Id=209A, Vds=75V, Rds(on)=0.0045ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпусTO-247AC-3, t-175°C

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 1P транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT455 схема FMMT491 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение кол...

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваема...

NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS (Ucbo=100V, Ic=5A, 65W Iceo 0,5mA количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Биполярный транзистор, характеристики NPN Uкэ 45в, Iк-100mА, hоэ 200-450, P-500mВт, 100Мгц количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC857C 3G транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BC856C схема PBHV9115T характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC857C Структура - p-n-p Напряж...

Monolithic Step-Down Switch mode converter with a built in internal power MOSFET, 2A Output Current, Fixed 450KHz Frequency MP9141 представляет собой монолитный понижающий импульсный стабилизатор со в...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb...

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V...

IRLR2905PBF N Channel, Id=42A, Vds=55V, Rds(on)=0.027ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=110W, корпус-TO-252-3, t-175°C

В комплекте 5 штук новых транзисторов S9018 J8 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог С9018 схема KTC9019 характеристики цоколевка datasheet S9018 относятся к малошумящим (NC до 4,0 дБ) широкополосным тр...

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max...

Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3 тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов BS170FTA MV транзистор (5 шт.) SOT23 SMD схема DMG6968U-7 характеристики 2N6660 цоколевка SOT-23-3 datasheet N-MOSFET BS170FTA, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3В...

Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Макси...