Транзисторы КТ818ГМ в Москве
Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F
Тип: Электронные компоненты
Транзисторы КТ818Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узл...
Транзисторы КТ818Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узл...
Тип: Электронные компоненты
Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 350 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 5 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмит...
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 5,5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 500 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 36 В Максимальное напряжение: эмиттер-база:...
Конфигурация: p-n-p Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора...
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 100 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 20 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3 В Максимальный ток: коллектора: 25 мА Ток: коллект...
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая макс 8 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 50 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 13003 T транзистор (5 шт.) TO92 аналог КТ8170А схема КТ859А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 13003 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзис...
Field Stop IGBT, Vces=600V, Vce(sat)=2,3V, Ic=40A, Pd=290W FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входны...
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальн...
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры NPN переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изолятора...
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая: 12,5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 100 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5089 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог ZTX696B схема ZTX694B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5089 Структура - n-p-n Напряжен...
N-p-n, 2/100W, (АМ)-40, (БМ)-50, (ВМ)-70, (ГМ)-100V, 15A, >3MHz, В=(АМ,ВМ)>15, (БМ,ВМ)>20
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения
Оптрон, THT, Ch: 1, OUT: транзисторный, Uизол: 5,3кВ, Uce: 70В, DIP4
Транзисторы 2Т819Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со ст...
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторам...
Транзистор VL035DP 1шт + транзистор VL035DN 1шт (пара) Новые полупроводниковые приборы от Российского разработчика корпорации «лэфи». Транзисторы созданы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Tr...
Транзисторы КТ117А - это кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Они предназначены для применения в маломощных генераторах и преобразователях, а также для работы в составе ра...
Тип: Электронные компоненты
Тип: Электронные компоненты
Биполярный транзистор, характеристики HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 1500V 8A 50W 0.7US
Arduino MOSFET модуль IRF520- предназначен для подключения к нему мощных нагрузок, работающих в цепи постоянного тока и напряжения. Благодаря своей низкой цене и надежности, модуль MOSFET довольно час...
Тип: Электронные компоненты
Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпус...
Модуль позволяет получить ШИМ до 36В. С помощью данного модуля и контроллера Arduino, можно управлять нагрузкой постоянного тока до 15 А. Управление осуществляется с помощью напряжения от 3.3 до 20 В...
Транзисторы КТ201А, КТ201Б, КТ201В и КТ201Г - это кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Они предназначены для использования...
Транзисторы КТ3102Д - усилительные, высокочастотные, кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Они предназначены для использования в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переклю...
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания....
Транзисторы КТ816Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовател...
Транзисторы КТ801Б - это переключательные кремниевые радиодетали, которые предназначены для работы в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания, а также в радиотехнических и...
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовател...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая...
Транзисторы 2Т818Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с...
Транзисторы КТ117В - это кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Они предназначены для использования в маломощных генераторах и преобразователях, а также для работы в составе...
Оптрон, SMD, Ch: 1, OUT: транзисторный, Uизол: 5кВ, Uce: 70В, SOP4L количество в упаковке: 1 шт
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка TIP127, цена от 37.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Транзисторы продаются комплектом по 2 штуки. Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75...
Транзисторы продаются комплектом по 3 штук. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ и нормированным КТ201ДМ коэ...
Тип: Электронные компоненты
Биполярный транзистор PNP Uоткр - 35В, - Iмакс, допустимый постоянный ток коллектора - 0.05А, - Pмакс, максимальная рассеиваемая мощность - 0.15Вт. Корпус пластиковый - желтого, красного, темно - зеле...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключ...
Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N у...
Основные технические параметры КТ903Б: КТ903Б Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаютс...
Тип: Электронные компоненты
PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS)...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряж...
Транзисторы КТ816Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовател...
Тип: Электронные компоненты
Основные технические параметры КТ9115А: КТ9115А Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности высокой частоты....
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rd...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение...
Транзисторы КТ203В - усилительные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, выпускаемые в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Они предназначены для использования в усилителях и им...
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо...
СтруктураPNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В- Макс. напр. к-э при зада...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжен...
Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других ра...
Транзисторы КТ608Б - это высококачественные кремниевые переключательные транзисторы, которые используются в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах, а также в электронной аппаратуре...
TLP291(GB-TP, SE, Оптопара TOSHIBA c транзисторным выходом, 1 канал, CTR 100-600%, корпус SOIC-4 Имеет один канал и корпус SOIC-4. Коэффициент передачи тока (CTR) варьируется в диапазоне от 100% до 60...
Транзистор КТ818Г1, TO-218, Кремний, (15А, 90В, 100Вт, b>12) PNP
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряж...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряже...
Транзисторы КТ117Г - это кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа, предназначенные для использования в маломощных генераторах и преобразователях, а также для работы в составе р...
Основные технические параметры КТ827А: КТ827А Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стаб...
Тип: Электронные компоненты
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Y-1 Структура - p-n-p Напряжение...
Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частот...
Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне час...
Тип: Электронные компоненты