0
0
Транзисторы КТ818 в Москве
Фильтры
Транзисторы КТ818Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узл...
NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS (Ucbo=100V, Ic=5A, 65W Iceo 0,5mA количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Тип: Электронные компоненты
В комплекте 5 штук новых транзисторов 13003 T транзистор (5 шт.) TO92 аналог КТ8170А схема КТ859А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 13003 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзис...
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения
Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 350 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 5 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмит...
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 5,5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 500 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 36 В Максимальное напряжение: эмиттер-база:...
Конфигурация: p-n-p Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора...
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 100 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 20 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3 В Максимальный ток: коллектора: 25 мА Ток: коллект...
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая макс 8 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 50 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 60 В Максимальное напряжение: эмиттер-база:...
Транзисторы 2Т818Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с...
P-n-p, 60W, (А)-40, (Б)-50, (В)-70, (Г)-90V, 10A, >3MHz, B=(А,В)>15, (Б)>20, (Г)>12
Транзистор КТ818Г1, TO-218, Кремний, (15А, 90В, 100Вт, b>12) PNP
Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпус...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220...
Транзисторы 2Т818А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с...
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания....
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF710 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2862 схема MTP2N40E характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF710 Корпус - TO-220A...
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовател...
Транзисторы 2Т819Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со ст...
Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в...
Транзисторы продаются комплектом по 2 штуки. Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в...
Транзисторы КТ117А - это кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Они предназначены для применения в маломощных генераторах и преобразователях, а также для работы в составе ра...
Технические параметры Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В 2...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 D331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPS8050 схема MPS650G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора SS8050 Структура - n-p-n Нап...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к...
Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне час...
Транзисторы 2Т881В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах. Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т8...
Тип: Электронные компоненты
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры NPN переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изолятора...
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторам...
КТ805АМ, БМ, ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28) Описание СтруктураNPN Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В60 Максимально доп...
Основные технические параметры КТ606А: КТ606А Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частот...
Транзисторы КТ608Б - это высококачественные кремниевые переключательные транзисторы, которые используются в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах, а также в электронной аппаратуре...
Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других ра...
Транзисторы КТ117В - это кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Они предназначены для использования в маломощных генераторах и преобразователях, а также для работы в составе...
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к...
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего...
Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффицие...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низк...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность ко...
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовател...
Транзисторы КТ816Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовател...
Технические параметрыСтруктура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 15Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.015Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±,15Максим...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ645А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные. Предназначены для применения в высокочастотных ге...
СтруктураPNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В- Макс. напр. к-э при зада...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V По...
К190КТ2П Микросхемы К190КТ2П представляют собой четырехканальный коммутатор (2x2) на 4 полевых транзисторах с изолированным затвором. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре обще...
N-p-n, 1,5/60W, (А)-40, (Б)-50, (В)-70, (Г)-100V, 10A, >3MHz, B=(А,В)>15, (Б)>20, (Г)>12
Тип: Электронные компоненты
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) т...
Транзисторы КТ801Б - это переключательные кремниевые радиодетали, которые предназначены для работы в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания, а также в радиотехнических и...
Транзисторы КТ203В - усилительные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, выпускаемые в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Они предназначены для использования в усилителях и им...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток...
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236...
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 30 Максимально допустимый ток...
Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощност...
КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках элект...
Биполярный транзистор, характеристики HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 1500V 8A 50W 0.7US
Количество в упаковке: 5 шт
Структура npn Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Корпус kt-27-2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц 40 Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разом...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключ...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 300 Максимально допустимый то...
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 100 Максимально допустимый то...
Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частот...
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Стр...
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к...
N-p-n, 60W, (А)-100, (Б)-80, (В)-60, (Г)-45V, 8A, >4MHz, В>750
SSW2N60B / SSI2N60B. 600V N-Channel MOSFET. General Description. These N-Channel enhancement mode power field-effect transistors
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая: 12,5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 100 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5...
Транзисторы 2Т313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. Выпускаются в металло-стекл...
Транзисторы 2Т839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания. Выпускаются в ме...