0
0
Irf3205 транзистор в Москве
Фильтры
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ ±20 Сопротивление канала в открытом сос...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной о...
Применяется в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры, широко и...
Применяется в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры, широко и...
Ac-32851, IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC количество в упаковке: 1 шт
Тип: транзистор
Тип: транзистор
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220...
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимал...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в открытом...
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое н...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корп...
Предназначен для использования в схемах регуляторов мощности, высокочастотных импульсных источников питания, преобразователей, звуковых усилителей и прочего. Его главная особенность, которая выделяет...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage,...
IRF3205PBF, N кан 55В 110А TO220AB Описание Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 98 Сопротивление канала в открытом состоянии...
130A 60V
Тип: Электронные компоненты
N Channel, Id=30A, Vds=200V, Rds(on)=0.075ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=214W, корпусTO-247AC-3, t-175°C
Полевые транзисторы производства компании Vishay. Закуплена партия запечатанными заводскими коробками. На фотографиях реальные изображения текущей партии. характеристики Структура: n-канал Максимально...
Ac-80, CEP3205, Транзистор полевой 55V 108A 200W N-Channel MOSFET, TO-220, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), MagnaChip Semiconductor количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N у...
NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS (Ucbo=100V, Ic=5A, 65W Iceo 0,5mA количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток...
IRF3205PBF, 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET транзистор в TO-220 корпусе (55 В, 110 А, 8 миллиОм, 200 Вт). Assembled in Mexico, Infineon Technologies
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер M...
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 74 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом со...
Выходной ток нагрузки: до 5А (при токе выше 1А требуется охлаждение) Полевой транзистор позволяет использовать ШИМ (широтно-импульсную модуляцию), т.е можно менять скорость работы электродвигателя или...
Тип: Электронные компоненты
N Channel, Id=75A, Vds=55V, Rds(on)=0.0046ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=2V, Pd=330W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
N-канал 40В 162А
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к...
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряж...
IRF3205SPBF N-Channel MOSFET 55V 110A тип: Микросхемы для телефонов
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональ...
Выходной ток нагрузки: до 5А (при токе выше 1А требуется охлаждение) Полевой транзистор позволяет использовать ШИМ (широтно-импульсную модуляцию), т.е можно менять скорость работы электродвигателя или...
Модуль MOSFET транзистора IRF520 (Силовой ключ) Характеристики IRF520: Напряжение: 3.3В, 5В Выходое напряжение(В): 0-24 Выходной ток нагрузки тип: транзистор
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальн...
P Channel, Id=-11A, Vds=-200V, Rds(on)=0.5ohm, Vgs=-10V, Vgs Typ=-4V, Pd=125W, корпусTO-220AB-3, t-150°C
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности. Предназначены для применения в усилителях низкой част...
TIP127 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6042 схема 2SB1020 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP127 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напря...
Транзисторы 2П303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF520N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1927 схема IRFW520A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF520N Корпус - TO-22...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пор...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Н...
P Channel, Id=-31A, Vds=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Vgs=-10V, Vgs Typ=-4V, Pd=110W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
Характеристики IRF520: Напряжение: 3.3В, 5В Выходое напряжение(В): 0-24 Выходной ток нагрузки:
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VМаксимал...
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное нап...
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки новых транзисторов D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема D209L применяется в разли...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V По...
Описание товара IGBT 450V 35A характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Renesas Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3 тип: транзистор
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF830 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2661 схема BUZ41A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF830 Корпус - TO-220AB...
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А. Технические характеристики: Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Максималь...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питани...
В комплекте 2 штуки новых деталей TIP36C транзистор (2 шт.) TO-247 аналог TIP36CG схема характеристики цоколевка datasheet TO-3P микросхема Характеристики транзистора TIP36C Структура - p-n-p Напряжен...
P-Channel HEXFET Power MOSFET, Vds=100V, Id=23A, Rds(on)=117 mOhm, Pd=140W Наименование прибора: IRF9540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BCP56-16 транзистор (2 шт.) ЧИП SOT-223, схема BSP43,115 характеристики BCP5616E6327HTSA1 цоколевка CZT3019, элемент ВСР56-16, datasheet SOT223, BCP56-10,115 Тра...
**Arduino MOSFET модуль IRF520** - предназначен для подключения к нему мощных нагрузок, работающих в цепи постоянного тока и напряжения. В отличие от механических реле, Ардуино MOSFET надежный и долго...
N Channel, Id=14A, Vds=500V, Rds(on)=0.4ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=2V, Pd=190W, корпусTO-247-3, t-150°C
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF710 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2862 схема MTP2N40E характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF710 Корпус - TO-220A...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb...
Ac-55076, IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А TO-220AB, ABC, Транзисторы, Полевые (FETs, MOSFETs), ABC количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2305A A05 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD схема ADS-T1-GE3 характеристики ADS-T1-E3 А05 цоколевка SOT-23-3 datasheet A50T P-MOSFET AO5 Наименование прибора: SI2305...
N Channel, Id=17A, Vds=100V, Rds(on)=0.09ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=79W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220...
Транзистор N-канал 100V 33A D2-PAC. Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 33 Максимальное напряжение зат...
Максимальный ток: коллектора (Iк max) - 11,7 А Тип: биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Мощность: рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Максимально допустимое напряжение: коллектор-эмиттер (VCEO...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низк...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключ...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Нап...
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм Т...
В комплекте 2 штуки новых деталей IRF7105 транзистор (2 шт.) ЧИП SOP-8 схема IRF7105TR характеристики MMDF2C03HD, цоколевка, datasheet SO8 микросхема Наименование прибора: IRF-7105 Тип транзистора: MO...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF730 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1400A схема STP7NK40Z характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF730 Корпус - TO-22...
Тип: Электронные компоненты